发布日期：2024-12-20 21:51    点击次数：73

主要特性

功率半导体、HBLED 和光器件特性分析和测试

GaN、SIC 及其他复合材料和器件的特性分析

半导体结温度特性分析

各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：

离散和无源元件

–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻

–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等

简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器

集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）

–模拟IC

–射频集成电路（RFIC）

–集成电路（ASIC）

–片上系统（SoC）器件

光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器

圆片级可靠性

- NBTI、TDDB、HCI、电迁移

太阳能电池

电池

暂态抑制器件

IC、RFIC、MMIC

激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器

电路保护器件:

TVS、MOV、熔丝

安全气囊

连接器、开关、继电器

碳纳米管

半导体纳米线

碳纳米管 FET

纳米传感器和阵列

单电子晶体管

分子电子

有机电子

基本运放电路

二极管和电路

晶体管电路

高速、高精度数字化

器件激光电路晶体管二极管发布于：广东省声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。